10月24日，江西联创特种微电子有限公司特邀成都电子科技大学的李泽宏教授就“功率器♍件(Power MOSFET）知识和未来发展趋势”进行专题培训，特微电子中层副职以上人员参加了培训。
李泽宏教授一直从事功率器件和功率集成电路的研究，并作为主研进行了国家自然科学基金、重点实验室基金、装备发展部预研项目和国家863计划信息技术领域超大规模集成电路设计专项等多个项目的研究，发表多篇内容精辟的学术论文。
此次李教授主要围绕功率MOSFET、Rectifier、IGBT和SiC器件的基本ඣ结构及相关知识展开，重点对MOSFET新型器件的结构设计、特性描述、工艺方法和未来趋势进行了详细解读。就特微电子现有功率MOS型号进行了剖析，以及如何在现有产线条件下扩大产品种类，给出了宝贵的建议。李教授深入浅出、通俗易懂的讲解风格，令所有参训人员受益匪浅。大家积极互动，就很多热点问题和困惑之处发表了自己的见解和观点。
特微电子常务副总经理王宁平在总结发言中对李教授的专业授课给出了高度评价。他指出：“特微电子一直大力推进与高校的产学研合作、协同创新。这次邀请李泽宏教授亲自科学性、前瞻性地研究功率MOS发展战略，共同致力于功率MOS的研究、探索与开发，将为特微电子提供新的发展契机。只有研发和应用有机结合，才能形成高效、互补、共赢的机制，实现共同发展。现阶段是企业转型升级的关键时期，相信在李教授的指导和帮助下，特微电子可以依托功率MOS器件的有利形势，形成新的经济增长点，为推动企业更好发展提供重要支撑。”最后，王总要求所有参训人员认真学习、领悟培训内容，并把学习到的内容运用到实际工作🌃中去，做到学有所用。
